“D램 한계 극복한다”…삼성전자, 차세대 메모리 기술 ‘CXL’ 상표 출원

[아이뉴스24 권용삼 기자] 삼성전자가 고대역폭메모리(HBM)을 이어 차세대 D램 메모리 기술로 주목 받는 ‘컴퓨트익스프레스링크(CXL)’ 개발·양산을 가속한다.

15일 업계에 따르면 삼성전자는 최근 CXL 관련 총 4종의 상표를 출원했다. 출원 이름은 △삼성 CMM-D △삼성 CMM-DC △삼성 CMM-H △삼성 CMM-HC 등이다. 지정상품은 ‘반도체 메모리장치, 칩(집적회로), 데이터 저장장치’ 등이다.

‘CMM’은 ‘CXL Memory Module(CXL 메모리 모듈)’의 약자로, 국제 반도체 표준화 기구 ‘제덱’의 CXL 기반 메모리 규격이다. CXL은 고성능 서버 시스템에서 중앙처리장치(CPU)와 함께 사용되는 가속기, D램, 저장장치 등을 보다 효율적으로 활용하기 위해 개발됐다.

현존 메모리 반도체 기술로는 방대한 분량의 데이터를 처리하고 싶어도, 처리 용량과 대역폭을 무한정 늘리지 못한다. 메모리를 더 많이 넣으면 장치의 복잡성과 개발 비용이 증가하기 때문이다. 또 메모리 용량을 늘려도 CPU와 메모리간 데이터가 이동, 처리되는 과정에서 지연 현상이 발생하기 때문에 효율이 떨어진다.

업계에서는 기존 D램의 한계를 극복할 카드로 ‘CXL’을 꼽고 있다. ‘CXL’은 기존 시스템의 메인 D램을 그대로 사용하지만, 확장성을 높여 메모리의 용량을 늘리는 기술이다. 고용량 CXL D램을 사용하면 서버 한 대당 메모리 용량을 8~10배 이상 늘릴 수 있다.

시장 잠재력도 크다. 시장조사업체 욜그룹에 따르면 글로벌 CXL 시장은 오는 2028년 150억달러(약 20조원)에 달할 것으로 전망된다.

삼성전자는 2021년 5월 세계 최초로 CXL 기반 D램 기술을 개발하고, 지난해엔 업계 최초로 고용량 512GB(기가바이트) CXL D램을 선보였다. 올해 5월에는 CXL 2.0을 지원하는 128GB CXL D램을 개발했다며 연내 양산 계획을 밝힌 바 있다.

삼성전자는 메모리 병목현상 개선을 위해 데이터 연산 능력과 전력 효율을 높이는 CMM을 계속해서 확장해 나간다는 계획이다. 이와 관련해 CXL D램에서 지능형 메모리로 불리는 프로세싱인메모리(PIM) 아키텍처를 구성하는 연구도 진행 중이다.

이정배 삼성전자 메모리사업부장(사장)은 지난 10월 삼성전자 반도체 뉴스룸에 올린 기고문에서 “CMM 등의 새로운 인터페이스를 적극 활용해 메모리 대역폭과 용량을 원하는 만큼 확장하는 미래를 꿈꾸고 있다”고 말했다. 이어 “메모리 병목현상 개선을 위해 데이터 연산 기능을 메모리 칩 내부 혹은 모듈 레벨에서 구현하는 기술을 HBM, CMM 등의 제품에 적용해 데이터 연산 능력을 획기적으로 개선하는 동시에 전력 효율을 높이는 데 집중할 것”이라고 덧붙였다.

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